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窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法.pdf

    本发明提供了一种窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法，器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底正面并沿水平方向间隔排列的栅极沟槽结构和发射极沟槽结构；其在排列方向上各自成对设置，且在排列方向上相互交叠；形成于成对的发射极沟槽结构之间的阱区；形成于栅极沟槽结构之间以及发射极沟槽结构之间的发射极注入区；在发射极沟槽结构之间的区域中，发射极注入区位于阱区上方。本发明在主动台面区不设置P型掺杂区，而在非主动台面区中形成P型掺杂区以及位于P型掺杂区上方的N+型掺杂区，不但通过引入窄台面区增强电子注入，获得

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809145 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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