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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种基于Chiplet先进封装的高性能半导体智能功率模块及其制备方法，所述第一导电层上的一侧设置有第一电容；第一导电层上的另一侧设置有驱动芯片以及设置于驱动芯片周围的第二电容、第二电阻、第一电阻、第三电阻、第四电阻及第三电容；所述第一层聚酰亚胺层上穿过有第二铜柱及第一铜柱，第二导电层上设置有第一互连铜层、第二互连铜层及第三互连铜层，第二层聚酰亚胺层上设置有第一半导体芯片及第二半导体芯片，第三导电层上设置有第一信号端子、第二信号端子、第一功率端子、第二功率端子、第三功率端子、第四功率端
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387290 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310179920.3 H01L 25/16 (2023.01)
(22)申请日 2023.02.
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