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低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法.pdf

    本发明具体公开了低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法，所述方法包括：将硅衬底送入MBE腔中去除表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层低温N型掺杂锗缓冲层；在低温N型掺杂锗缓冲层上进行中温无掺杂锗外延生长，形成中温无掺杂锗缓冲层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在经过循环退火的中温无掺杂锗缓冲层上进行高温无掺杂锗外延生长，形成高温无掺杂锗缓冲层；在高温无掺杂锗缓冲层上进行多个不同锡组分的锗锡合金外延生长，并分别进行恒温退火，形成渐变锡组分的锗锡合金缓冲层。该方法可有效降低锗锡缓冲层的穿

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116377568 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202211536421.7 (22)申请日 2022.12.02 (71)申请人 湖南汇思光电科技

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