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可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列.pdf

    本发明公开一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列，其存储单元阵列中的存储单元包括：一阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一栅极结构与一存储结构。第一掺杂区与第二掺杂区形成于阱区。第一栅极结构覆盖于第一掺杂区与第二掺杂区之间的一第一表面。存储结构形成于一第二表面上，且第二表面位于第一表面与第二掺杂区域之间。存储结构覆盖于部分的第一栅极结构、第二表面与一隔离结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809091 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110598816.9 (22)申请日 2021.05.31 (30)优先权数据

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