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- 2023-07-05 发布于四川
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提供半导体装置结构。半导体装置结构包含基底、在基底上方的第一鳍片结构以及在基底的第一区域上方的铁电场效晶体管(FeFET)装置。铁电场效晶体管包含跨过第一鳍片结构的第一栅极堆叠。半导体装置结构还包含在第一栅极堆叠旁的多个第一栅极间隔层以及在第一栅极堆叠上方的铁电层。铁电层的至少一部分位于第一栅极间隔层的上部之间并与第一栅极堆叠相邻。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809094 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110799947.3
(22)申请日 2021.07.15
(30)优先权数据
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