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一种铁电存储单元读写特性验证电路结构.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种铁电存储单元读写特性验证电路结构.pdf

    本发明属于铁电存储器技术领域，具体为提供一种能够测试铁电存储单元读写特性的电路设计。对于基于铁电材料的铁电存储器电路，其性能参数主要在于铁电存储单元的电滞回线，在晶体管级的仿真过程中，铁电存储单元通过铁电材料的两种极化状态来表示数据(1、0)，铁电电容的写状态(数据写入铁电电容的实际状态)、读出台阶差(读数据时铁电电容释放电荷能力)、读出脉冲能够反映铁电单元在不同的仿真条件下的变化情况，从而判断其工作的性能指标。存储单元在读写操作时会受到其他连接在位线上的存储单元所产生寄生电容的影响，这种影响是

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808639 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111119834.0 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 电子科技大学 地址

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