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一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法.pdf

    本发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法，该方法包括以下步骤：(1)生成初始微观组织；(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法，可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为，为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808678 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111142666.7 (22)申请日 2021.09.28 (71)申请人 东莞理工学院 地址

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