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- 2023-07-05 发布于四川
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本申请实施例提供了只读存储器、编码阵列生成方法、芯片及存储介质，只读存储器包括多个存储单元，同一行的存储单元共用一条字线，同一列的存储单元共用一条位线，每个存储单元均包括晶体管，其中：每个存储单元存储的编码值为根据晶体管的漏极与第一连接端的第一连接状态、晶体管的漏极与晶体管所在列的位线的第二连接状态、晶体管的源极与第一连接端的第三连接状态以及晶体管的源极与晶体管所在列的位线的第四连接状态确定。本申请实施例能够提高ROM内部存储信息的破解难度，降低ROM内部存储信息的泄露风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808644 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110998640.6
(22)申请日 2021.08.27
(71)申请人 北京芯愿景软件技术股份有限公司
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