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一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法及电路.pdfVIP

一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法及电路.pdf

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    本发明属于高压大功率场合的碳化硅MOSFET并联应用控制技术领域，公开了一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法，以不影响整组碳化硅MOSFET并联工作为前提，不改变整组开关频率的条件下，通过对其中单个个体进行间隙式的有效控制，改变该单管的PWM驱动波形，等同减小该碳化硅MOSFET管的有效持续工作时间，降低其温升，防止其热失效，从而提高产品的可靠性能。还公开了实现上述方法的控制电路。本发明在采用极简化电路结构的条件下，在多个并联碳化硅MOSFET器件一起工作时间内，相对实现了并联电路中各个单管

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113810035 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111043307.6 (22)申请日 2021.09.07 (71)申请人 深圳市福瑞电气有限公司

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