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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构。图形化的掩膜层能够提高第一DBR结构的生长质量，并且有利于后续发光结构的制备。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809206 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010534238.8 H01S 5/187 (2006.01) (22)申请日 2

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