1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种半导体结构的形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.05万字
  • 约 11页
  • 2023-07-05 发布于四川
  • 举报

一种半导体结构的形成方法.pdf

    本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有掩膜层，掩膜层表面具有图形层，图形层内具有图形开口，图形开口底部暴露出掩膜层的顶部表面；以图形层为掩膜，刻蚀图形开口底部的部分掩膜层，在掩膜层内形成第一开口；形成第一开口之后，在第一开口顶角的周围形成保护层；以保护层为掩膜，刻蚀第一开口底部的掩膜层，直至暴露出衬底的顶部表面，在掩膜层内形成第二开口。此发明解决了传统刻蚀半导体结构形成过程中掩膜层的顶角处被刻蚀磨损的问题，通过在刻蚀过程中添加一层保护层，保证在刻蚀过程中掩膜层的顶角不会

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808929 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >