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本发明提出了一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。通过N型漏区提供的额外电子抽取通道，该IGBT器件在常规逆导型结构的基础上，利用漏极与电子抽取通道之间形成肖特基接触。由于较高的金属功函数，肖特基接触部分产生的结势垒会在通道中形成具有一定面积的空间电荷区，当漏极偏压较低时能够起到阻挡电子的作用。本发明提出的晶体管保留了逆导结构的优点，能够明显抑制器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且通道中产生的空间电荷区随着漏极偏压的变化实现了变化的漏区电阻，有利于彻底消除器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113571577 A
(43)申请公布日 2021.10.29
(21)申请号 202110623695.9
(22)申请日 2021.06.04
(71)申请人 西安电子科技大学
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