原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在栅氧层上形成控制栅多晶硅层，栅氧层形成于衬底上，衬底的有源区的周侧形成有环绕的STI结构；在控制栅多晶硅层上形成ONO；在所述ONO上形成浮栅多晶硅层；通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的控制栅多晶硅层、ONO和浮栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成存储器件的控制栅，剩余的浮栅多晶硅层形成存储器件的浮栅；进行各向同性的回刻蚀，去除STI结构侧面的氮氧化硅残留。本申请在进行ONO刻蚀后，通过回刻蚀去除STI结构侧面的氮氧化硅残留，降低了器件的漏电现象，提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113506804 A
(43)申请公布日 2021.10.15
(21)申请号 202110690553.4
(22)申请日 2021.06.22
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档评论（0）