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- 2023-07-05 发布于四川
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本申请案涉及高动态范围CMOS图像传感器设计。一种像素单元包含第一子像素及多个第二子像素。每一子像素包含光电二极管以响应于入射光而光生图像电荷。图像电荷通过第一转移晶体管从所述第一子像素转移到浮动扩散部。图像电荷通过多个第二转移晶体管从所述多个第二子像素转移到所述浮动扩散部。衰减层安置在所述第一子像素上方。所述第一子像素通过所述衰减层接收所述入射光。所述多个第二子像素在不行进通过所述衰减层的情况下接收所述入射光。双浮动扩散部DFD晶体管耦合到所述浮动扩散部。电容器耦合到所述DFD晶体管。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113810635 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110569734.1 (51)Int.Cl.
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