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- 2023-07-05 发布于四川
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根据本公开的半导体装置包括层叠的多个基板(100A、200A);形成在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中的半导体元件(TR、AMP);和保护层元件(TF、TS),其在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中形成为具有PN结,并且保护所述半导体元件(TR、AMP)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113812001 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202080034725.6 (74)专利代理机构 北京信慧永光知识产权代理
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