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绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法.pdf

    本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法，其中该绝缘栅双极晶体管结构包括基底与第一栅控PNPN二极管。第一栅控PNPN二极管位于基底上。第一栅控PNPN二极管包括第一栅极、第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区。第一栅极位于基底上。第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区位于第一栅极两侧的基底中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809165 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010650268.5 (22)申请日 2020.07.08 (30)优先权数据 109120243

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