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光电二极管和/或PIN二极管结构.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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光电二极管和/或PIN二极管结构.pdf

    本公开涉及半导体结构，更具体地涉及光电二极管和/或PIN二极管结构及制造方法。该结构包括：位于沟槽内的至少一个垂直柱特征；从至少一个垂直柱特征的侧壁横向延伸的光敏半导体材料；以及电连接到光敏半导体材料的接触。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809198 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110591949.3 (22)申请日 2021.05.28 (30)优先权数据

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