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红外探测器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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红外探测器及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种红外探测器。所述红外探测器的吸收层为N型InAs层和N型InAsSb层交替层叠的超晶格结构，或者N型InGaAs层和N型InAsSb层交替层叠的超晶格结构，所述红外探测器的势垒层为N型InAsP层和N型InGaSb层交替层叠的超晶格结构。本发明提出的InAsP/InGaSb超晶格势垒层价带与In(Ga)As/InAsSb超晶格吸收区价带平齐，形成电子势垒，有助于降低器件暗电流，同时势垒层中不含Al，避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387381 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202211675066.1 (22)申请日 2022.12.26 (71)申请人 苏州晶歌半导体有限公司 地址 2

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