垂直非易失性存储器装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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垂直非易失性存储器装置及其制造方法.pdf

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公开了一种垂直非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直非易失性存储器装置包括：基底，包括单元区；下绝缘层，位于基底上；下布线图案，位于单元区中，具有预定图案并且穿过下绝缘层连接到基底；以及多个垂直沟道层，在单元区中在相对于基底的顶表面的垂直方向上延伸，在相对于基底的顶表面的水平方向上彼此分隔开，并且电连接到下布线图案。存储器装置还包括多个栅电极，多个栅电极在单元区中沿垂直沟道层的侧壁在垂直方向上与层间绝缘层交替地堆叠并且形成为沿水平方向在第一方向上延伸。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107527914 A (43)申请公布日 2017.12.29 (21)申请号 20171