一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法.pdf

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本发明公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极化材料和金属上电极。形成金属‑极化材料‑二维半导体器件结构，施加外加电场，使极化材料极化，随后撤去外加电场。区别于其它二维半导体能带调控方法，该方法利用极化保持特性，可实现无外场下对二维半导体能带结构调控。光致发光光谱结果表明，在极化电场的作用下，二维半导体的能带结构得

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107170893 A (43)申请公布日 2017.09.15 (21)申请号 20171