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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及晶片生产制造技术领域，公开一种晶体多线切割方法，在钢线接触晶体至到达晶体半径深度阶段，逐渐降低工作台的进给速度，使工作台的进给速度始终和钢线与晶体的切割长度L呈负相关，同时增大砂浆流量供给，使砂浆流量始终与晶体的切割长度L呈正相关；在钢线从晶体半径深度到完全晶体切割阶段，在钢线切割晶体深度超过晶体的半径深度后，逐渐增大工作台进给速度，使工作台进给速度始终和钢线与晶体的切割长度L呈负相关趋势，同时减小砂浆流量供给，使砂浆流量始终与晶体的切割长度L呈正相关趋势。本发明能够减小晶片的总厚度变
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113799277 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110913050.9
(22)申请日 2021.08.10
(71)申请人 威科赛乐微电子股份有限公司
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