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本发明属于半导体器件领域。本发明提供了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法与应用，通过在生长衬底上先制备剥离层，再制备AlScN薄膜，在目标衬底上制备第一中间层，将第一中间层与AlScN薄膜进行键合，得到复合体；或在AlScN薄膜上制备与第一中间层材质完全相同的第二中间层，通过第一中间层与第二中间层的键合并融合，得到复合体；去除复合体中的生长衬底及剥离层后，即得AlScN薄膜衬底；所述制备方法避免了直接在目标衬底上制备AlScN薄膜所引起的晶格失配及内应力大等问题，可利用多种有效的键合‑剥离方式完
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116390626 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310449075.7 H03H 3/08 (2006.01)
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