具有增强的机械稳定性半导体基座的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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具有增强的机械稳定性半导体基座的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了在形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠之后，可以穿过所述交替堆叠来形成存储器开口，所述存储器开口随后被填充有柱状半导体基座部分和存储器堆叠结构。通过在移除所述牺牲材料层以形成背侧凹陷部之后选择性地沉积半导体材料，可以通过生长横向突出半导体部分来避免所述柱状半导体基座部分在机械应力下的破损。所述横向突出半导体部分的至少外部部分可以被氧化以形成管状半导体氧化物间隔物。可以在所述背侧凹陷部中形成导电层以便为三维存储器器件提供字线。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110088901 A (43)申请公布日 2019.08.02 (21)申请号 20178