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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开一种半导体元件。半导体元件包括基板,有硅层在顶部。元件结构设置在所述基板上。介电层设置在基板上,且覆盖过元件结构。所述介电层有第一空气间隙在所述元件结构上方,所述第一空气间隙是由构成所述介电层的一部分的介电质壁所围绕,并且所述介电质壁是设置在所述元件结构上。所述介电层有第二空气间隙,暴露所述元件结构的顶部且相邻所述介电质壁。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809044 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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