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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387352 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310287791.X H01L 21/28 (2006.01)
(22)申请日 2023.03.
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