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- 2023-07-05 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：基底包括衬底、分立于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的多个沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；在沟道叠层露出的衬底上形成隔离材料层，隔离材料层覆盖鳍部和部分沟道叠层的侧壁；在隔离材料层上形成横跨沟道叠层的伪栅结构。本发明实施例伪栅结构与沟道叠层夹角处堆积的反应副产物较少，较少的反应副产物对刻蚀过程的阻碍较小，使得沟道叠层之间的中间区域的伪栅结构的横向尺寸与靠近沟道叠层的伪栅结构的横向尺寸相差较小，去除伪栅结构和牺牲层，形成栅极结构，被栅极结构包
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808947 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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