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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区和第二区的衬底内分别形成若干源漏掺杂层、若干栅结构、以及初始第一介质层；在所述初始第一介质层表面形成第一掩膜层，所述第一区上和第二区上的第一掩膜层内分别具有若干第一开口，所述第一开口位于源漏掺杂层上，且在所述第一区上的第一开口密度和在第二区上的第一开口密度不同；在第一区和第二区的第一掩膜层内形成若干第二开口，所述第二开口位于栅结构上。从而，改善了半导体结构的性能和可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808998 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010550601.5 (22)申请日 2020.06.16 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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