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混合型薄膜晶体管集成的电子器件及相应的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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混合型薄膜晶体管集成的电子器件及相应的制造方法.pdf

    提供一种硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管集成的电子器件及制造方法。电子器件包括基板、堆叠导体层、设置在基板上的硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。硅基薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管各包括栅极、源极、漏极和半导体层，半导体层包括源极接触面和漏极接触面。两种薄膜晶体管的源极和漏极分别由堆叠布置的第一导体层和第二导体层形成。第一导体层和第二导体层分别与两种类型的薄膜晶体管的半导体层的源极接触面和漏极接触面接触。利用本发明，可以解决半导体表面处理和电极材料选择的问题，并且适用于具有保护性蚀刻阻挡

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809097 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202011413459.6 (22)申请日 2020.12.03 (30)优先权数据 63/102,35

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