一种具有P型漂移区的SOI LIGBT.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种具有P型漂移区的SOI LIGBT.pdf

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本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有P型漂移区的SOILIGBT。本发明采用了P型漂移区和阴极的载流子存储层，导通时，器件以晶闸管模式工作，N型载流子存储层和阻挡槽栅提高了漂移区的载流子浓度降低了器件的导通压降；正向阻断状态下，阳极侧的N‑区调制了垂直方向的电场，避免了器件的垂直方向上的击穿；关断时，晶闸管的正反馈机制使器件在载流子的抽取过程中始终保持较低电压，在电压上升完成后的电流下降阶段，漂移区内所剩载流子已经不多，电流下降很快，表现出类MOS的关断特性，器件快速关断，关断损耗大

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387356 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310340052.2 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人电子科技大学地址 611731