将半导体衬底减薄至高均匀性的方法以及半导体衬底.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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将半导体衬底减薄至高均匀性的方法以及半导体衬底.pdf

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本公开涉及将半导体衬底减薄至高均匀性的方法以及半导体衬底。例如，描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底。半导体衬底包括高掺杂半导体衬底层、高掺杂半导体器件层以及布置在高掺杂半导体衬底层和高掺杂半导体器件层之间的低掺杂半导体蚀刻停止层。去除高掺杂半导体衬底层，其中去除包括在低掺杂半导体蚀刻停止层处停止的掺杂物选择性化学蚀刻。此外，减薄低掺杂半导体蚀刻停止层以生成高掺杂半导体器件层的暴露表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808914 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110662237.6 (22)申请日 2021.06.15 (30)优先权数据