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本发明公开了一种硅基有源矩阵式OLED显示器及其制作方法，硅基有源矩阵式OLED显示器的阳极结构包括基板和生长在基板上的金属层，在金属层之间设置第一沟道，第一沟道将金属层分隔成一个个相互隔离的子像素，在位于第一沟道下方的基板上开设第二沟道，第二沟道宽度小于第一沟道宽度；制作方法包括采用两次图形化工艺方法，利用线宽差异，在金属层和基板上分别刻蚀得到第一沟道和第二沟道，第一沟道与第二沟道之间形成台阶。本发明实现了具有较高台阶的阳极结构，能有效促使后续OLED有机蒸发工艺中的有机膜层在台阶处的断裂，实
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793906 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202110999950.X
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 南京国兆光电科技有限公司
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