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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种N型重掺杂薄层氮化镓材料的二次外延方法,包括步骤:(1)选取外延材料,置于MOCVD外延生长设备内的基座上;(2)设定反应室压力,在氨气气氛下将反应室升温至预设温度,然后持续通入铟源;(3)保持反应室压力、温度、铟源流量及氨气流量不变,通入镓源和硅烷;调整镓源和铟源流量,设定生长速率,开始二次外延N型重掺杂薄层GaN材料;(4)保持反应室压力、温度和氨气流量不变,关闭镓源和铟源,继续通入硅烷,并持续一段时间;(5)关闭硅烷,在氨气气氛保护下,降至室温,取出二次外延材料。本发明实现
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808916 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110870145.7
(22)申请日 2021.07.30
(71)申请人 中国
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