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本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上沿垂直方向依序堆叠的第一电极层、第一阻挡层、支撑层、第二阻挡层和第二电极层；其中，第一电极层、第一阻挡层、支撑层、第二阻挡层和第二电极层内具有填充空间，填充空间自第二电极层的顶表面沿垂直方向延伸至第一电极层内；氧化物半导体层，位于填充空间的内壁；栅氧化层，位于氧化物半导体层上；栅极，位于栅氧化层间的填充空间中。本公开实施例的半导体结构能够提升开态电流与关态电流的比值，改善电学性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387364 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310450456.7 H01L 29/78 (2006.01)
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