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光刻多余图形的检测方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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光刻多余图形的检测方法.pdf

    本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻多余图形的检测方法，包括：步骤1：光刻机在涂布有光刻胶的硅片上曝光管芯区域，设定硅片上的光刻版曝光区域为完整的管芯区域；控制光刻机工作台使硅片沿X方向和Y方向歩进M次，每次步进距离为N；其中，步进次数M为5‑15次，步进距离N为10‑50um；步骤2：显影，检测周围未曝光区域是否有多余图形；若没有，则无光刻多余图形；若有，则通过扫描电子显微镜对多余图形进行定位；步骤3：根据多余图形的位置判断是否停止光刻机工作。本发明判断是否产生多余曝光图形，避免潜在的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113791525 A (43)申请公布日 2021.12.14 (21)申请号 202111239114.8 (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人 无锡职业技术学院 地址

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