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本发明公开了一种集成源漏电容的超结MOS器件及其制作方法。本发明通过在外延层内设置两组第二沟槽,并在第二沟槽内依次设置电容层间介质层和电容多晶硅电极,在器件制作完成后,该结构形成两个并联在源极与漏极之间的源漏电容,可通过调节第二沟槽的深度、电容层间介质层的厚度和第二沟槽的宽度与相邻的两个第二沟槽之间的间距的比值来调节两个源漏电容的容值大小,使得集成的两个电容的容值大小不等,能够在不增加其他寄生电容的前提下,增加Cds来减小Vds电压变化率,从而改善器件的EMI,同时能显著过滤高频谐振信号,进一步
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113793807 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202111365416.X H01L 29/78 (2006.01)
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