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一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区和N区横向设置；基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；栅极结构与MOS管的栅极相连接；互连金属使TVS管的阳极通过栅极结构与MOS管的栅极相连接；使栅极电阻并联于TVS管的阳极与MOS管的源极之间；使MOS的漏极与TVS的阴极相连；MOS管通过LDMOS工

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387363 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310512755.9 (22)申请日 2023.05.08 (71)申请人 上海晶岳电子有限公司 地址 20

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