一种化合物半导体材料的HBT外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种化合物半导体材料的HBT外延结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种化合物半导体材料的HBT外延结构及其制备方法，其包括基底，以及依次位于其上方的集电区、基区和发射区。解决了材料生长过程异质结面晶格适配问题，引入和GaN晶格匹配的Al0.82In0.18N作为发射区异质结材料，可以减小材料表面异质缺陷，亦可以实现抑制流向基区不必要的空穴电流；通过在N‑P‑N型HBT外延层各区材料的接触界面引入本征材料层i形层，可以减小结电容和势垒电容等非线性电容，增强器件线性度，利于高频微波工作；通过引入P/N梯度掺杂层结构，既然可以使得界面耗尽区增强，减小结电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809156 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111045271.5 (22)申请日 2021.09.07 (71)申请人西安