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金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板.pdf

    本公开提供了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于显示技术领域。该金属氧化物薄膜晶体管包括在背板一侧层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏金属层；有源层和栅极分别设于栅极绝缘层的两侧，源漏金属层设于有源层远离背板的一侧；有源层包括依次层叠设置于栅极绝缘层远离栅极的一侧的第一金属氧化物半导体层和第一金属氧化物半导体层；其中，第一金属氧化物半导体层中载流子浓度大于1×1020个/cm3，第一金属氧化物半导体层中载流子的霍尔迁移率大于20cm2/(V·s)，第一金属氧化物半导体层中铟和

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809182 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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