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氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法.pdf

    提供一种氮化硅的蚀刻方法，能够以不使用等离子体的方式对氮化硅选择性地进行蚀刻。氮化硅的蚀刻方法具备以下的蚀刻工序：在含有卤素氟化物的蚀刻气体中配置含有氮化硅的蚀刻对象物(12)，在1Pa以上且80kPa以下的压力下，以不使用等离子体的方式对蚀刻对象物(12)的氮化硅进行蚀刻，该卤素氟化物是溴或碘与氟的化合物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113811984 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202080034864.9 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所

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