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- 2023-07-05 发布于四川
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提供一种包括第一半导体管芯、中介层及第一绝缘包封体的结构。第一半导体管芯包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的内连线结构及设置在内连线结构上的导通孔。中介层包括介电层及穿透过介电层的穿孔。第一绝缘包封体在侧向上包封第一半导体管芯及中介层,其中中介层的介电层的厚度实质上等于第一半导体管芯的厚度及第一绝缘包封体的厚度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809040 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110624972.8 H01L 21/50 (2006.01)
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