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III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法.pdf

    本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808926 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110645250.0 (22)申请日 2021.06.09 (30)优先权数据 2020-1025

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