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蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统.pdf

    本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823559 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110654318.1 H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2

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