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本发明的III族化合物基板的制造方法，其特征在于：其是通过气相生长法使III族化合物的晶体(1)在载置并固定于基座(2)的晶种(3)上生长的III族化合物基板的制造方法，在基座(2)和晶种(3)的至少一者的构件中使用可剥离的具有劈开性的物质。III族化合物基板，其特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供III族化合物基板的制造方法和通过该制造方法制造的基板，该制造方法可有效利用气相生长法的特长、即高成膜速度的特长，同时以低成本得到更高品质的大型GaN晶体基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113840949 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202080039330.5 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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