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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法包括：在衬底上形成由多个绝缘层和多个牺牲层组成的堆叠结构以及垂直穿过堆叠结构的栅线缝隙，栅线缝隙被多个绝缘层和多个牺牲层所围而具有第一宽度，第一宽度由下至上以第一变化率逐渐变大，去除多个牺牲层得到多个栅极开口，以第一台阶覆盖率在多个栅极开口中形成第一栅极层，之后，以小于第一台阶覆盖率的第二台阶覆盖率在第一栅极层上形成第二栅极层，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过以不同台阶覆盖率分步沉积第一栅极层和第二栅极层，而使栅线缝隙被第二栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838856 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111113784.5
(22)申请日 2021.09.23
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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