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三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法.pdf

    本发明涉及一种三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，本发明在传统沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上引入P型埋层和与发射极金属等电位的分离栅电极，通过电荷补偿消除N型电荷存储层对器件击穿特性的不利影响，有利于改善了正向导通压降Vceon和关断损耗Eoff之间的折中关系。沟道密度的减小以及NMOS沟道的提前饱和，减小器件的饱和电流密度，提高器件的短路安全工作区(SCSOA)。同时PMOS的钳位可以有效的减小栅电容和栅电荷，从而提高了器件开关速度，降低了器件的开关损耗和对栅驱动电路能力的要求。由于P

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838919 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111116282.8 (22)申请日 2021.09.23 (71)申请人 电子

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