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发光元件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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发光元件及其制造方法.pdf

    本发明提供具有n型接触层的发光元件及其制造方法，该n型接触层通过费米能级与导带的简并有效地降低了电阻，且由将Si作为掺杂剂的AlGaN构成。作为本发明的一个方式，提供发光元件(1)，其具备费米能级与导带简并的由AlGaN构成的n型接触层(12)、和层叠于n型接触层(12)的由AlGaN构成的发光层(13)，n型接触层(12)的Al成分比发光层(13)的Al成分大10％以上且为70％以下，n型接触层(12)含有发生上述简并的浓度且为4.0×1019cm‑3以下的浓度的Si。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823722 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110648357.0 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2

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