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本发明公开了一种真空电子器件用钼棒及其制备方法，所述钼棒化学成分为纯钼，钼含量不低于99.95重量％；直径20～90mm；相对密度≥99.5％；表面粗糙度优于0.2μm；抗拉强度≥600MPa、屈服强度≥550MPa、延伸率≥30％。本发明的钼棒材制备方法包括：高纯度钼粉为原料，制备冷等静压坯；氢气‑真空复合烧结；低温大变形量开坯；中间退火及校直加工；减径加工；碱洗、修磨；退火处理；机加工；最终得到组织成分均匀、致密度高、强韧性好的大直径规格、高强韧钼棒材，可作为大尺寸规格真空电子钼基器件加工原
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113828773 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202110582154.6 H01J 21/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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