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本申请公开了开关管组件、射频开关电路、数控衰减器电路及数控移相器电路，其中，所述开关管组件包括：开关管和栅电阻；其中，开关管的栅端与所述栅电阻的第二端连接；所述栅电阻的第一端与控制电压连接。本发明对GaAspHEMT管的低频等效电路进行分析，提出提高射频开关和数控衰减器以及数控移相器低频功率容量和线性度的方法。此方法可使射频开关和数控衰减器以及数控移相器低频的功率容量和线性度提升，效果明显。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113824439 A
(43)申请公布日 2021.12.21
(21)申请号 202111052769.4
(22)申请日 2021.09.08
(71)申请人 西安
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