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一种高纯铝硅靶材及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种高纯铝硅靶材及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种高纯铝硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将高纯铝硅靶坯依次进行锻伸、一次热处理、静压、二次热处理、压延以及三次热处理，得到高纯铝硅靶材；所述一次热处理的温度为480‑500℃，时间为10‑20min；所述二次热处理的温度为440‑460℃，时间为10‑20min；所述制备方法通过优化制备工艺，解决了高纯铝硅靶坯内部缺陷的问题，使内部晶粒足够细化均匀，提高了靶材的质量和性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113817994 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202111091818.5 C22F 1/04 (2006.01)

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