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本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源极，设置在衬底上方，漏极，设置在衬底上方与源极相对应，栅极，设置在衬底上方，位于源极与漏极之间，其中，源极和漏极均包括第一金属层，栅极包括第二金属层，源极和漏极呈非均匀多线条结构，该非均匀多线条结构具有多个长度不等的线条。源极的非均匀线条结构还能减小源欧姆接触的寄生电容Cgs，从而获得更好的线性度和fT。漏极的非均匀线条结构还能减小漏欧姆接触的寄生电容Cgd、Cds，从而获得更好的功率增益
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838928 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202010584595.5
(22)申请日 2020.06.23
(71)申请人
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